Alan Etkili Transistörlerin (AET) tarihi 1920'lere kadar uzanır. Fakat, üretilmesindeki zorluklar nedeniyle ancak 1960'larda ilk alan etkili transistörler gerçekleştirilebilmiştir. AET yapısı, silikon kristal ile silikon-dioksid arasında çok temiz bir arayüz olmasına dayandığı için yarı iletken teknolojisi yeteri kadar gelişmeden güvenilir bir yapıda üretilememiştir.
Temelde, alan etkili transistörler iletken, yalıtkan ve yarı iletken oluşan bir sığa yapısına sahiptirler. İletken ile yarı iletken arasındaki gerilim değiştirilerek, yalıtkanın hemen altındaki yarı iletken bölgesindeki yük taşıyıcılarının işareti ve yoğunluğu değiştirilebilir. Yarı iletken malzemedeki yük taşıyıcıların yoğunluğunun değişmesiyle, iletkenliği de değişir. İki terminal (kaynak ve savak) eklenerek, iletkenlikteki bu modulasyon kullanılarak bu terminaller arasındaki akım, üçünçü bir terminalle (kapı) kontrol edilebilir. Kapı terminali iletkene bağlıyken, kaynak ve savak terminalleri birer jonksiyonla gerçekleştirilirler.
Alan Etkili Transistörler özellikle sayısal tümleşik devrelerin tasarımında tercih edilmektedir. Bunun birkaç nedeni vardır:
Orijinal kaynak: alan etkili transistör. Creative Commons Atıf-BenzerPaylaşım Lisansı ile paylaşılmıştır.
Ne Demek sitesindeki bilgiler kullanıcılar vasıtasıyla veya otomatik oluşturulmuştur. Buradaki bilgilerin doğru olduğu garanti edilmez. Düzeltilmesi gereken bilgi olduğunu düşünüyorsanız bizimle iletişime geçiniz. Her türlü görüş, destek ve önerileriniz için iletisim@nedemek.page